SICRIUS SN302D II 12英寸立式氮化硅低压化学气相沉积炉
SICRIUS SN302D II SICRIUS SN302D II 12 Inch Vertical SiN LPCVD Furnace
本产品重要利用于12英寸集成电路（IC）领域 低压化学气相 氮化硅（SiN）薄膜沉积。该产品基于NAURA最新一代先进平台开发，具备更好的氧含量节造能力、更高的传输效能，同时搭载了全新自主研发的全石英腔室+高精度炉体，并实现了原位洗濯，以及优异的颗粒及金属传染节造能力、靠得住的工艺不变性以及多样化、智能化的系统节造，可批量处置12英寸晶圆以实现高产能出产。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
- 合用工艺
- 合用领域
