mg冰球突破

离子注入是半导体工业中的重要掺杂步骤。它是通过电场加快和磁场筛选以及平行化，将特定元素注入到指标资猜中的技术，通过高精度的节造，确保注入剂量的均匀性。因其拥有节造精准，各向异性，常温工艺蹬着点，宽泛利用于集成电路, 化合物半导体，面板等领域，成为主流的掺杂工艺。

离子注入设备结构复杂，技术难度高，是半导体造作环节的关键设备之一。mg冰球突破凭借二十多年的半导体研发造作经验与技术创新，不休突破静电场加快、剂量节造、电磁场筛选等多项关键技术，开发出两款中束流设备。公司将持续推动离子注入设备的全覆盖，为半导体造作领域提供全套的离子注入解决规划。