Accura BE 12英寸晶边干法刻蚀机
Accura BE 12 Inch Bevel Dry Etcher
在Logic/3D-NAND/DRAM等产品造程中，通过等离子体去除wafer边缘处的polymer，削减后续工艺defect，提升良率；该设备为晶边刻蚀设备，工艺压力1-5Torr可调，process gap：0-0.8mm可调，晶表刻蚀距离0-7.2mm可调，晶背刻蚀距离0-5mm可调；刻蚀速度及均匀性可调。重要由多边形传输系统、工艺腔室、单频射频系统等组成。该设备ER不变性高，具备可视化同轴调试职能，守护便捷，且AWC（DA）精度高档特点。
