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HSE P300

深硅刻蚀机

HSE P300 深硅刻蚀机

HSE P300 Deep Silicon Etcher

HSE P300 深硅刻蚀设备面向12英寸先进封装深硅刻蚀场景，整机选取电感耦合技术架构，最大可配置 6 个反映腔硬件平台。依附立体高密度双等离子源、优化腔室硬件架构与全套工艺规划，兼容各类深硅刻蚀造程，在保险高选择比的前提下实现超高刻蚀速度，精准管控刻蚀深度、片内均匀性与整片晶圆工艺不变性。设备具备等离子散布矫捷可调、高量产产能、低综合占有与运营成本的主题肠能优势。作为先进封装深硅刻蚀量产主力设备，为先进封装深硅刻蚀量产场景提供成熟规划。

设备特点

产品利用

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