PSE V300(Gi) 高精度深硅刻蚀机
PSE V300(Gi) Deep Silicon Etcher
PSE V300系列重要用于12英寸深硅刻蚀,利用领域蕴含集成电路、先进封装、新兴利用与科研领域等,设备最多可同时挂载6个独立反映腔。该设备利用分区进气和气体急剧切换系统,兼容Bosch和Non-Bosch工艺,可实现分歧尺寸结构的硅通孔、深孔和沟槽刻蚀。该设备能满足结构中要求的光滑侧壁概括和严格的角度节造,为深硅刻蚀提供优异的解决规划。
- 设备特点
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- 产品利用
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- 晶圆尺寸
- 合用资料
