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APS 200G/440G/560G
SiC感应炉
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公司名称：
APS 200G/440G/560G SiC感应炉
APS 200G/440G/560G SiC Induction Furnace
合用于6、8、12英寸，导电、高纯半绝缘型 SiC 晶体成长
设备特点
创新的结构设计，提供高纯资料成长能力
智能运杏注监控系统，适于长功夫、高温、低压工艺，拓宽高质量、大规模晶体成长窗口
技术指标
最高工作温度
2400℃
极限真空
5.0x10??Pa
线圈起落
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
6、8、12英寸
成长腔室
高纯石英管
合用工艺
物理气相输运法(PVT)
合用资料
碳化硅、氮化铝
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