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GGS 2001

氧化镓长晶炉

GGS 2001 氧化镓长晶炉

GGS 2001 Ga2O3 Crystal Growth Furnace

合用于2、4、6、8英寸氧化镓晶体成长

设备特点

技术指标

最高工作温度
2400℃
极限真空
＜10Pa
线圈起落
低至50μm/h(线性匀速)
晶圆尺寸
2、4、6、8英寸
成长腔室
316不锈钢
合用工艺
垂直布里奇曼法(VB)
合用资料
氧化镓

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