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VERAL GH1015

涂层沉积炉

VERAL GH1015 涂层沉积炉

VERAL GH1015 Coating Deposition Furnace

化学气相沉积炉，合用于半导体零部件、航空航天复合伙料领域，可造备半导体级 SiC 涂层、陶瓷基复合伙料、超高温涂层及金属涂层。

设备特点

技术指标

最高使用温度
2000℃
温度均匀性
±5℃
冷态真空度
5Pa
压升率
< 5Pa/h
合用工艺
重要利用是在石墨和碳化硅基底上实现半导体级SiC涂层（或块体）、TaC涂层的造备
合用资料
石墨、碳化硅

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